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세미콘 세라믹 예비 부품

  • ST.CERA 맞춤형 고정밀 반도체 장비 세라믹 척

    ST.CERA 맞춤형 고정밀 반도체 장비 세라믹 척

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • 알루미나 고정밀 세라믹 링 세라믹 부품

    알루미나 고정밀 세라믹 링 세라믹 부품

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • 절연 고온 내성 알루미나 세라믹 링

    절연 고온 내성 알루미나 세라믹 링

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • 고압에 강한 알루미나 정밀 세라믹 디스크

    고압에 강한 알루미나 정밀 세라믹 디스크

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • 정밀 알루미나 세라믹 예비 부품

    정밀 알루미나 세라믹 예비 부품

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • 고순도 알루미나 세라믹 디스크

    고순도 알루미나 세라믹 디스크

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • 세라믹 절연 링 세라믹 초점 링

    세라믹 절연 링 세라믹 초점 링

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • ST.CERA 알루미나 세라믹 클램프 링 절연 보호

    ST.CERA 알루미나 세라믹 클램프 링 절연 보호

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • 알루미나 고정밀 세라믹 링 세라믹 부품

    알루미나 고정밀 세라믹 링 세라믹 부품

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • ST.CERA 맞춤형 반도체 장비 세라믹 척

    ST.CERA 맞춤형 반도체 장비 세라믹 척

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • 반도체 장비 세라믹 예비 부품 세라믹 캐리어

    반도체 장비 세라믹 예비 부품 세라믹 캐리어

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • 반도체 프로브 스테이션 장비용 세라믹 예비 부품

    반도체 프로브 스테이션 장비용 세라믹 예비 부품

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.