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  • 고정밀 세라믹 반도체 장비 부품

    고정밀 세라믹 반도체 장비 부품

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • ST.CERA 맞춤형 고정밀 반도체 장비 세라믹 척

    ST.CERA 맞춤형 고정밀 반도체 장비 세라믹 척

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • 알루미나 고정밀 세라믹 링 세라믹 부품

    알루미나 고정밀 세라믹 링 세라믹 부품

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • 절연 고온 내성 알루미나 세라믹 링

    절연 고온 내성 알루미나 세라믹 링

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • 알루미나 정밀 세라믹 링

    알루미나 정밀 세라믹 링

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • 고압에 강한 알루미나 정밀 세라믹 디스크

    고압에 강한 알루미나 정밀 세라믹 디스크

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • 정밀 알루미나 세라믹 예비 부품

    정밀 알루미나 세라믹 예비 부품

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • 고순도 알루미나 세라믹 디스크

    고순도 알루미나 세라믹 디스크

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • 알루미나 세라믹 암

    알루미나 세라믹 암

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • 세라믹 절연 링 세라믹 초점 링

    세라믹 절연 링 세라믹 초점 링

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • ST.CERA 알루미나 세라믹 클램프 링 절연 보호

    ST.CERA 알루미나 세라믹 클램프 링 절연 보호

    냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.

    고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.

  • 웨이퍼 핸들링용 고순도 알루미나 세라믹 로봇 팔

    웨이퍼 핸들링용 고순도 알루미나 세라믹 로봇 팔

    세인트세라의 알루미나 세라믹 로봇 팔은 99.8% 고순도 Al₂O₃(알루미나)로 정밀하게 설계되었습니다. 이 소재는 탁월한 굽힘 강도(361 MPa), 높은 경도(16 GPa), 그리고 낮은 밀도(3.93 g/cm³)를 결합하여 반도체 웨이퍼 이송에 필요한 가볍지만 견고한 로봇 팔을 구현합니다. 또한, 알루미나의 열팽창 계수(7.2×10⁻⁶/°C)는 실리콘과 매우 유사하여 공정 중 열팽창 차이를 최소화합니다.